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Broadcom AFBR-S4N66P014M NUV-MT硅光电倍增管

Broadcom AFBR-S4N66P014M NUV-MT硅光电倍增管用于超灵敏单光子精密测量。该单通道SiPM基于NUV-MT技术打造，集成改进的光子检测效率（PDE），与NUV-HD技术相比，降低了暗计数率和串扰。该器件的SPAD间距为40µm。通过平铺多个Broadcom AFBRS4N66P014M SiPM，可以覆盖更大区域。

Broadcom AFBR-S4N66P014M阵列封装了环氧树脂透明模塑化合物，具有优异的机械稳定性和坚固性。环氧树脂在紫外线波长下高度透明，因此可在可见光频谱中实现广泛响应，对蓝色和近紫外线区域具有较高的灵敏度。

该器件非常适合用于检测低强度脉冲光源，尤其适用于切伦科夫光（Cherenkov）或来自最常见有机（塑料）和无机闪烁体材料（例如LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF或LaBr3）的闪烁光。

特性

  • 高PDE（420nm时63%）
  • 四面可平铺，具有高填充系数
  • 电池间距：40μm
  • 高度透明的环氧树脂保护层
  • 工作温度范围：–20°C至+60°C
  • 出色的SPTR和CRT
  • 出色的设备间击穿电压和增益均匀性
  • 符合RoHS指令以及CFM和REACH标准

应用

  • X射线和伽马射线检测
  • 核医学
  • 正电子发射计算机断层扫描
  • 安全与安保
  • 物理实验
  • 切伦科夫检测

框图

框图 - Broadcom AFBR-S4N66P014M NUV-MT硅光电倍增管

评估套件

Broadcom AFBR-S4EP001 NIR30 SiPM评估套件

设计用于NIR30硅光电倍增管的评估和器件特性化。

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回流焊示意图

性能图表 - Broadcom AFBR-S4N66P014M NUV-MT硅光电倍增管
发布日期: 2023-05-10 | 更新日期: 2024-12-24