IRF5305STRLPBF MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
数据表
1,789库存量
16,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) P-Channel 1 Channel 55 V 31 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
数据表
720库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 55 V 31 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel