NTMFS0D6N03CT1G

onsemi
863-NTMFS0D6N03CT1G
NTMFS0D6N03CT1G

制造商：

说明：
MOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

数据表:
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库存量: 4,334

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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥25.312 ¥25.31
¥16.4641 ¥164.64
¥11.3339 ¥1,133.39
¥9.1869 ¥4,593.45
¥8.9383 ¥8,938.30
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥7.5258 ¥11,288.70
¥7.0964 ¥21,289.20

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
30 V
433 A
620 uOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS0D6N03C
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

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