"RF TRANSISTOR"所有结果 (1,249)

选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RF Transistor 3,847库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 330
: 3,000

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET 106库存量
1,000预期 2026/7/13
最低: 1
倍数: 1
: 500

onsemi 射频(RF)双极晶体管 VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER 67,750库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 4,250
: 3,000

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1 4库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G 6,062库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 380
: 3,000



MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz 2库存量
最低: 1
倍数: 1

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 9库存量
最低: 1
倍数: 1

Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR 9库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi JFET NCh RF Transistor 7,378库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 640
: 2,000

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 9库存量
550预期 2026/7/9
最低: 1
倍数: 1


Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 27库存量
最低: 1
倍数: 1



STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 35库存量
最低: 1
倍数: 1



STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz 19库存量
最低: 1
倍数: 1

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 20库存量
最低: 1
倍数: 1

ROHM Semiconductor MOSFET DFN-2020 MOSFET 30V 7.5A 1,829库存量
3,000预期 2026/7/2
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V 300mW 2,592库存量
12,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


onsemi 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 27,370库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL 97库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL 80库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP 87库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL 78库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP 35库存量
最低: 1
倍数: 1

Qorvo GaN 场效应晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V 93库存量
700预期 2026/7/10
最低: 1
倍数: 1