|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC201602FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥808.2438
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAC201602FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥808.2438
|
|
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¥736.1498
|
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报价
|
|
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报价
|
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最低: 50
倍数: 50
:
50
|
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|
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA097008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,031.5544
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA097008NB1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
|
¥1,031.5544
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA094808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA094808NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA084007NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥802.1757
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTVA084007NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低: 500
倍数: 500
:
500
|
|
|
|
|
射频开发工具 EVALUATION BOARD
- CLA4606-085-EVB
- Skyworks Solutions, Inc.
-
1:
¥915.9441
-
无库存交货期 4 周
|
Mouser 零件编号
873-CLA4606-085-EVB
|
Skyworks Solutions, Inc.
|
射频开发工具 EVALUATION BOARD
|
|
无库存交货期 4 周
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFB201402FC-V2-R0
- MACOM
-
50:
¥681.2657
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB201402FC2R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥681.2657
|
|
|
¥620.5508
|
|
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查看
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报价
|
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最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
- ST16010
- STMicroelectronics
-
300:
¥385.3752
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-ST16010
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 300
倍数: 300
:
300
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
- SD57030
- STMicroelectronics
-
50:
¥502.7483
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD57030
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥502.7483
|
|
|
¥446.9941
|
|
最低: 50
倍数: 25
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L27025CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥308.2866
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L27025CG2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 300
倍数: 300
:
300
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
- ARF477FL
- Microchip Technology
-
10:
¥1,263.0688
-
无库存交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-ARF477FL
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
|
|
无库存交货期 24 周
|
|
最低: 10
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,40W,40V,1.20-1.40GHz
MACOM PH1214-40M
- PH1214-40M
- MACOM
-
40:
¥3,371.2533
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-PH1214-40M
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,40W,40V,1.20-1.40GHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低: 40
倍数: 40
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215Mhz,28V,5W
MACOM MRF10005
- MRF10005
- MACOM
-
1:
¥2,511.425
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF10005
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215Mhz,28V,5W
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥2,511.425
|
|
|
¥2,120.671
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,Avionics,700W,IFF
MACOM PH1090-700B
- PH1090-700B
- MACOM
-
20:
¥12,329.7351
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-PH1090-700B
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,Avionics,700W,IFF
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低: 20
倍数: 20
|
|
|
|
|
射频开发工具 EVALUATION BOARD
- CLA4609-086-EVB
- Skyworks Solutions, Inc.
-
1:
¥941.3013
-
无库存交货期 4 周
|
Mouser 零件编号
873-CLA4609-086-EVB
|
Skyworks Solutions, Inc.
|
射频开发工具 EVALUATION BOARD
|
|
无库存交货期 4 周
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC201202FC-V2-R0
- MACOM
-
50:
¥693.2437
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PXAC201202FC2R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥693.2437
|
|
|
¥631.3197
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
- PXFE211507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥611.443
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFE211507FCV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
|
|
无库存
|
|
|
¥611.443
|
|
|
¥550.7281
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA047002EV-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥4,317.3232
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA047002EV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
- PTVA035002EV-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥3,878.0131
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA035002EVV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
|
|
无库存
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
- BLF2425M9LS140J
- Ampleon
-
100:
¥868.2694
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
94-BLF2425M9LS140J
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥868.2694
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 100
倍数: 100
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
- ARF466BG
- Microchip Technology
-
25:
¥541.7898
-
无库存交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-ARF466BG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
|
|
无库存交货期 24 周
|
|
|
¥541.7898
|
|
|
¥479.007
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 25
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- STAC3932B
- STMicroelectronics
-
80:
¥1,001.9371
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-STAC3932B
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低: 80
倍数: 20
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L15200CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,288.6294
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L15200CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
- DU28120V
- MACOM
-
40:
¥2,424.98
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-DU28120V
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低: 40
倍数: 40
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAB182002FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥965.1782
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAB182002FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥965.1782
|
|
|
¥879.1965
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
|
|
射频开发工具 1.35-1.75 GHz EVB
- TGF2819-FSEVB03
- Qorvo
-
1:
¥7,599.5325
-
无库存交货期 8 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
772-TGF2819-FSEVB03
NRND
|
Qorvo
|
射频开发工具 1.35-1.75 GHz EVB
|
|
无库存交货期 8 周
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|