"RF TRANSISTOR"所有结果 (1,241)

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数量 RoHS
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 10
倍数： 1

Skyworks Solutions, Inc. 射频开发工具 EVALUATION BOARD
数据表
无库存交货期 4 周
最低： 1
倍数： 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 60
倍数： 60

Mini-Circuits EMI组件 KIT / SAV / TAV / 10 MODELS
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM PH2731-75L
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,Radar,75W,2.7-3.1GHz
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 20
倍数： 20

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 40

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288 无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 120
倍数： 120
: 120

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
交货期 52 周
最低： 1
倍数： 1
: 100

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 40
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250