|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
STMicroelectronics SD2933-03W
- SD2933-03W
- STMicroelectronics
-
50:
¥1,183.9123
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD2933-03W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低: 50
倍数: 25
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
WeEn Semiconductors TB100ML
- TB100ML
- WeEn Semiconductors
-
10,000:
¥0.77744
-
无库存交货期 28 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
771-TB100ML
NRND
|
WeEn Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低: 10,000
倍数: 10,000
:
10,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXFC191507FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥676.7457
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFC191507FC1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥676.7457
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
- RF5L1214750CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,718.1763
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF5L1214750CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA102001EA-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,483.8595
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA102001EA1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥1,483.8595
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC210552FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥583.1139
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXAC210552FC1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥583.1139
|
|
|
¥525.1901
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAC210552FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥525.2805
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXAC210552FC1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥525.2805
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF4L10700CB4
- RF4L10700CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,718.1763
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF4L10700CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
|
|
|
|
|
射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, 4.0GHz, INCLUDED CGH4001
- CGH40010F-AMP
- MACOM
-
1:
¥10,162.7002
-
无库存交货期 8 周
|
Mouser 零件编号
941-CGH40010FAMP
|
MACOM
|
射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, 4.0GHz, INCLUDED CGH4001
|
|
无库存交货期 8 周
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
否
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAC240502FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥693.2437
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTAC240502FC1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥693.2437
|
|
|
¥631.3197
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTFC210202FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥485.0638
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTFC210202FC1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥485.0638
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAD214218FV-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥1,527.8052
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXAD214218FV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥1,527.8052
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA101K02EV-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥7,144.086
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA101K02EV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA101K02EV-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥7,019.7182
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA101K02EV1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor
- QPD0005TR13
- Qorvo
-
2,500:
¥42.036
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
772-QPD0005TR13
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
最低: 2,500
倍数: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
- RF5L10111K0CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,718.1763
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF5L10111K0CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
- PTFB241402FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥795.6556
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB241402FCR250
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
|
|
无库存
|
|
|
¥795.6556
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 250
倍数: 250
:
250
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L15030CB2
- RF5L15030CB2
- STMicroelectronics
-
180:
¥429.5469
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF5L15030CB2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 180
倍数: 180
:
180
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
- PTFA220041M-V4-R1K
- MACOM
-
1,000:
¥63.3591
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFA220041MV4R1K
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
|
|
无库存
|
|
最低: 1,000
倍数: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
- RF3L05250CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,625.2903
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05250CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
:
100
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
- BFU790F,115
- NXP Semiconductors
-
1:
¥12.656
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-BFU790F115
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥12.656
|
|
|
¥8.0117
|
|
|
¥7.8196
|
|
|
¥7.4241
|
|
|
查看
|
|
|
¥4.1697
|
|
|
¥5.3223
|
|
|
¥4.1697
|
|
|
¥4.1697
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
Microchip Technology VRF2944MP
- VRF2944MP
- Microchip Technology
-
10:
¥3,298.8768
-
无库存交货期 30 周
|
Mouser 零件编号
494-VRF2944MP
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
|
|
无库存交货期 30 周
|
|
最低: 10
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
- PH2729-110M
- MACOM
-
20:
¥4,791.1548
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
937-PH2729-110M
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
最低: 20
倍数: 20
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
WeEn Semiconductors TB100EP
- TB100EP
- WeEn Semiconductors
-
1:
¥6.6218
-
无库存交货期 28 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
771-TB100EP
NRND
|
WeEn Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥6.6218
|
|
|
¥4.5539
|
|
|
¥2.8815
|
|
|
¥1.7854
|
|
|
查看
|
|
|
¥1.3108
|
|
|
¥1.1752
|
|
|
¥1.00118
|
|
|
¥0.77744
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
- TGF2933
- Qorvo
-
5:
¥653.7389
-
无库存交货期 20 周
|
Mouser 零件编号
772-TGF2933
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
|
|
无库存交货期 20 周
|
|
最低: 5
倍数: 5
|
|
|