|
|
射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, 6.0GHz, INCLUDES CG2H40
- CG2H40010F-AMP
- MACOM
-
1:
¥9,025.2874
-
无库存交货期 8 周
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40010FAMP
|
MACOM
|
射频开发工具 AMPLIFIER ASSY, 6.0GHz, INCLUDES CG2H40
|
|
无库存交货期 8 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
- TAV1-541+
- Mini-Circuits
-
1:
¥118.1189
-
交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
139-TAV1-541+
|
Mini-Circuits
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
|
|
交货期 22 周
|
|
|
¥118.1189
|
|
|
¥17.2099
|
|
|
¥16.7127
|
|
|
¥16.3737
|
|
|
¥15.7183
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
射频开发工具 MRF13750H 1300 MHz Reference Circuit
- MRF13750H-1300
- NXP Semiconductors
-
1:
¥13,733.7036
-
无库存交货期 53 周
|
Mouser 零件编号
771-MRF13750H-1300
|
NXP Semiconductors
|
射频开发工具 MRF13750H 1300 MHz Reference Circuit
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频开发工具 MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit
- MMRF5014H-500MHZ
- NXP Semiconductors
-
1:
¥15,724.7749
-
无库存交货期 53 周
|
Mouser 零件编号
841-MMRF5014H-500MHZ
|
NXP Semiconductors
|
射频开发工具 MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR6
- NXP Semiconductors
-
1:
¥2,827.373
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRFE6VP5600HR6
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥2,827.373
|
|
|
¥2,435.4099
|
|
|
¥2,337.6197
|
|
|
¥2,205.7713
|
|
|
¥2,205.7713
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
150
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
- BFU730F,115
- NXP Semiconductors
-
1:
¥9.4242
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-BFU730F115
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥9.4242
|
|
|
¥5.8195
|
|
|
¥4.6217
|
|
|
¥4.1923
|
|
|
查看
|
|
|
¥1.9549
|
|
|
¥3.842
|
|
|
¥3.3787
|
|
|
¥3.0058
|
|
|
¥2.5764
|
|
|
¥1.9549
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
- BLC8G21LS-160AVZ
- Ampleon
-
60:
¥632.2011
-
无库存交货期 13 周
|
Mouser 零件编号
94-BLC8G21LS-160AVZ
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
|
|
无库存交货期 13 周
|
|
|
¥632.2011
|
|
|
¥615.0816
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 60
倍数： 60
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAD184218FV-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥1,527.8052
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXAD184218FV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥1,527.8052
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
- PTFB241402FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥873.4674
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB241402FCV1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
|
|
无库存
|
|
|
¥873.4674
|
|
|
¥795.5652
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
- A2T08VD020NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥238.317
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-A2T08VD020NT1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥238.317
|
|
|
¥156.1547
|
|
|
¥132.4473
|
|
|
¥123.0683
|
|
|
查看
|
|
|
¥97.4512
|
|
|
¥115.0001
|
|
|
¥108.2201
|
|
|
¥97.4512
|
|
|
¥97.4512
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
- ST9060C
- STMicroelectronics
-
50:
¥628.0653
-
无库存交货期 28 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-ST9060C
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥628.0653
|
|
|
¥580.0064
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
- STAC4932F
- STMicroelectronics
-
80:
¥942.7929
-
无库存交货期 28 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-STAC4932F
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 80
倍数： 80
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXFC191507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥742.9298
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFC191507FC1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥742.9298
|
|
|
¥676.6666
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,600W,80MHz,50v,Matched Pair
MACOM MRF157MP
- MRF157MP
- MACOM
-
5:
¥19,568.6168
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF157MP
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,600W,80MHz,50v,Matched Pair
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 5
倍数： 5
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,2-175MHz
MACOM DU2840S
- DU2840S
- MACOM
-
120:
¥1,207.3259
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-DU2840S
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,2-175MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 120
倍数： 120
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208 MATCHED PAIR
Microchip Technology VRF152GMP
- VRF152GMP
- Microchip Technology
-
1:
¥2,945.8422
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
579-VRF152GMP
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208 MATCHED PAIR
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA123501FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥2,984.669
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA123501FC1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA030121EA-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥316.4904
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA030121EA1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥316.4904
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
- BFP 405 H6740
- Infineon Technologies
-
1:
¥8.5993
-
无库存交货期 26 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
726-BFP405H6740
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
|
¥8.5993
|
|
|
¥6.1472
|
|
|
¥3.8307
|
|
|
¥2.6442
|
|
|
¥2.2148
|
|
|
¥1.6611
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
- AFT09MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥273.9233
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-AFT09MS031GNR1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥273.9233
|
|
|
¥221.1297
|
|
|
¥207.92
|
|
|
¥193.4221
|
|
|
¥186.5517
|
|
|
¥182.3933
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
|
|
射频开发工具 AFV10700H 960-1215 MHz Reference Circuit
- AFV10700H-1090
- NXP Semiconductors
-
1:
¥15,724.7749
-
交货期 53 周
|
Mouser 零件编号
771-AFV10700H-1090
|
NXP Semiconductors
|
射频开发工具 AFV10700H 960-1215 MHz Reference Circuit
|
|
交货期 53 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA127002EV-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥4,471.8281
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA127002EV1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
- STGWT30HP65FB
- STMicroelectronics
-
600:
¥17.289
-
无库存交货期 14 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-STGWT30HP65FB
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
|
|
无库存交货期 14 周
|
|
|
¥17.289
|
|
|
¥16.046
|
|
|
¥14.9725
|
|
最低： 600
倍数： 300
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
- BFU660F,115
- NXP Semiconductors
-
1:
¥9.266
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-BFU660F115
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥9.266
|
|
|
¥5.7178
|
|
|
¥4.5426
|
|
|
¥4.1245
|
|
|
查看
|
|
|
¥1.9323
|
|
|
¥3.7629
|
|
|
¥3.3222
|
|
|
¥2.9606
|
|
|
¥2.4069
|
|
|
¥1.9323
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
- BFU630F,115
- NXP Semiconductors
-
1:
¥11.6616
-
交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-BFU630F115
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
|
|
交货期 53 周
|
|
|
¥11.6616
|
|
|
¥7.232
|
|
|
¥5.7404
|
|
|
¥5.198
|
|
|
查看
|
|
|
¥2.6555
|
|
|
¥4.7573
|
|
|
¥4.181
|
|
|
¥3.7403
|
|
|
¥3.1979
|
|
|
¥2.6555
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
