|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
- AFT09MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥273.9233
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-AFT09MS031GNR1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥273.9233
|
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¥221.1297
|
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¥207.92
|
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¥193.4221
|
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¥186.5517
|
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¥182.3933
|
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最低: 1
倍数: 1
:
500
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
- MRF151
- MACOM
-
1:
¥2,580.3211
-
无库存交货期 36 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF151
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
|
|
无库存交货期 36 周
|
|
|
¥2,580.3211
|
|
|
¥2,178.8999
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
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|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
- BLC8G21LS-160AVZ
- Ampleon
-
60:
¥632.2011
-
无库存交货期 13 周
|
Mouser 零件编号
94-BLC8G21LS-160AVZ
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
|
|
无库存交货期 13 周
|
|
|
¥632.2011
|
|
|
¥615.0816
|
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查看
|
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报价
|
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最低: 60
倍数: 60
|
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|
GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT65R65AL
- STMicroelectronics
-
3,000:
¥45.3243
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-SGT65R65AL
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 3,000
倍数: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF469AG
- ARF469AG
- Microchip Technology
-
1:
¥586.0406
-
无库存交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-ARF469AG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
|
|
无库存交货期 24 周
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
- STGWT30HP65FB
- STMicroelectronics
-
600:
¥17.289
-
无库存交货期 14 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-STGWT30HP65FB
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
|
|
无库存交货期 14 周
|
|
|
¥17.289
|
|
|
¥16.046
|
|
|
¥14.9725
|
|
最低: 600
倍数: 300
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
¥5,038.0146
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRFE6VP5600HR5
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥5,038.0146
|
|
|
¥4,399.1239
|
|
|
¥4,399.1239
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
- MRF6V12500HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
¥7,480.0124
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRF6V12500HR5
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥7,480.0124
|
|
|
¥7,480.0124
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
- BFU630F,115
- NXP Semiconductors
-
1:
¥11.6616
-
交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-BFU630F115
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
|
|
交货期 53 周
|
|
|
¥11.6616
|
|
|
¥7.232
|
|
|
¥5.7404
|
|
|
¥5.198
|
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查看
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|
|
¥2.6555
|
|
|
¥4.7573
|
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|
¥4.181
|
|
|
¥3.7403
|
|
|
¥3.1979
|
|
|
¥2.6555
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
- BFU660F,115
- NXP Semiconductors
-
1:
¥9.266
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-BFU660F115
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥9.266
|
|
|
¥5.7178
|
|
|
¥4.5426
|
|
|
¥4.1245
|
|
|
查看
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|
|
¥1.9323
|
|
|
¥3.7629
|
|
|
¥3.3222
|
|
|
¥2.9606
|
|
|
¥2.4069
|
|
|
¥1.9323
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF152MP
- VRF152MP
- Microchip Technology
-
10:
¥1,772.518
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
494-VRF152MP
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
最低: 10
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208
Microchip Technology VRF152G
- VRF152G
- Microchip Technology
-
1:
¥1,444.14
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
579-VRF152G
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
|
¥1,444.14
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-9F
- CML Micro
-
1:
¥678.0452
-
无库存交货期 27 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
938-MWT-9F
NRND
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
- MRF1518NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥100.5813
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRF1518NT1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥100.5813
|
|
|
¥72.8624
|
|
|
¥64.8733
|
|
|
¥61.7545
|
|
|
查看
|
|
|
¥52.1947
|
|
|
¥58.9747
|
|
|
¥56.7147
|
|
|
¥54.6242
|
|
|
¥52.1947
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-3F
- CML Micro
-
1:
¥554.8865
-
无库存交货期 27 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
938-MWT-3F
NRND
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,20W,36V,3.10-3.50GHz
MACOM PH3135-20M
- PH3135-20M
- MACOM
-
20:
¥3,151.4796
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-PH3135-20M
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,20W,36V,3.10-3.50GHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低: 20
倍数: 20
:
20
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,175MHz,28V,150W
MACOM MRF141
- MRF141
- MACOM
-
1:
¥2,710.7683
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF141
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,175MHz,28V,150W
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥2,710.7683
|
|
|
¥2,229.1962
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,28V
MACOM MRF175GV
- MRF175GV
- MACOM
-
50:
¥2,183.951
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF175GV
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,28V
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低: 50
倍数: 50
:
10
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,80W,28V,2-175MHz
MACOM DU2880T
- DU2880T
- MACOM
-
60:
¥1,793.6151
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-DU2880T
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,80W,28V,2-175MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低: 60
倍数: 60
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,500-1000_MHz
MACOM LF2805A
- LF2805A
- MACOM
-
80:
¥1,233.1351
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-LF2805A
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,500-1000_MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低: 80
倍数: 80
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L08600CB4
- RF5L08600CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,479.1248
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF5L08600CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低: 100
倍数: 100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz
MACOM DU2880U
- DU2880U
- MACOM
-
60:
¥1,767.0601
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-DU2880U
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低: 60
倍数: 60
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-1F
- CML Micro
-
10:
¥711.1429
-
无库存交货期 27 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
938-MWT-1F
NRND
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-7F
- CML Micro
-
10:
¥508.3418
-
无库存交货期 27 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
938-MWT-7F
NRND
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
|
¥508.3418
|
|
|
¥479.8545
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,50V
MACOM MRF176GU
- MRF176GU
- MACOM
-
1:
¥2,473.2084
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF176GU
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,50V
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥2,473.2084
|
|
|
¥2,088.4095
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
|