"RF TRANSISTOR"所有结果 (1,241)

选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 500

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB 无库存交货期 36 周
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans 无库存交货期 13 周
最低: 60
倍数: 60

STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 无库存交货期 52 周
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

Microchip Technology ARF469AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264 无库存交货期 24 周
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STMicroelectronics 射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT 无库存交货期 14 周
最低: 600
倍数: 300

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz 交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Microchip Technology VRF152MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 1

Microchip Technology VRF152G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 无库存交货期 27 周
最低: 1
倍数: 1

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 无库存交货期 27 周
最低: 1
倍数: 1

MACOM PH3135-20M
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,20W,36V,3.10-3.50GHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20
: 20

MACOM MRF141
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,175MHz,28V,150W 无库存交货期 28 周
最低: 1
倍数: 1

MACOM MRF175GV
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,28V 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50
: 10

MACOM DU2880T
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,80W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 60
倍数: 60

MACOM LF2805A
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,500-1000_MHz 无库存交货期 26 周
最低: 80
倍数: 80

STMicroelectronics RF5L08600CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 100
倍数: 100

MACOM DU2880U
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz 无库存交货期 26 周
最低: 60
倍数: 60
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 无库存交货期 27 周
最低: 10
倍数: 10

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 无库存交货期 27 周
最低: 10
倍数: 10

MACOM MRF176GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,50V 无库存交货期 28 周
最低: 1
倍数: 1