"RF TRANSISTOR"所有结果 (1,241)

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 制造商
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数量 RoHS
MACOM UF2805B
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,100-500MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 80
倍数： 80

NXP Semiconductors 射频开发工具 MRF300AN 50 MHz Reference Circuit
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1

Skyworks Solutions, Inc. SMP1331-085-EVB
Skyworks Solutions, Inc. 射频开发工具 Pin Diode 50W Eval Board
数据表
无库存交货期 4 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM MRF136Y
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<400MHz,28V,30W,Mos
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM MRF176GV
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<500MHz,50V
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

MACOM DU2805S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,2-175 MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 120
倍数： 120

MACOM UF2815B
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 60
倍数： 60

STMicroelectronics RF4L15400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
数据表
交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1

Qorvo 射频开发工具 DC-2.7GHz 150W Eval Board
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

NXP Semiconductors 射频开发工具 MRF300AN 144 MHz Reference Circuit
数据表
交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1

MACOM DU1215S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,12V,2-175MHz
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 100
倍数： 100

Microchip Technology ARF469BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 25
倍数： 1

Microchip Technology VRF141MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 30
倍数： 1



NXP Semiconductors 射频开发工具 A3G26D055N 2515-2675 MHz Reference Circuit 无库存交货期 53 周
最低： 1
倍数： 1
否
Microchip Technology VRF154FL
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 10
倍数： 1

MACOM UF28100M
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

Microchip Technology VRF157FLMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2 MATCHED PAIR
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 10
倍数： 1

MACOM UF2820P
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 140
倍数： 140

Microchip Technology VRF157FL
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 10
倍数： 1

MACOM 射频开发工具 Test Board with GaN HEMT
数据表
产品评论
无库存交货期 8 周
最低： 2
倍数： 2
否
Microchip Technology ARF1511
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 10
倍数： 1

Microchip Technology VRF141G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1