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射频(RF)双极晶体管 NPN Sat Switch
- 2N2539 PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
¥61.5398
-
75库存量
-
寿命结束
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Mouser 零件编号
610-2N2539
寿命结束
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Central Semiconductor
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射频(RF)双极晶体管 NPN Sat Switch
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75库存量
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¥61.5398
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¥49.3019
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¥39.8664
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¥35.482
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¥31.3462
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最低: 1
倍数: 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS avionics radar transistor
- STAC1011-350
- STMicroelectronics
-
1:
¥2,085.189
-
5库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
511-STAC1011-350
寿命结束
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS avionics radar transistor
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5库存量
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¥2,085.189
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¥1,646.6247
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最低: 1
倍数: 1
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射频(RF)双极晶体管
Advanced Semiconductor, Inc. BLX93A
- BLX93A
- Advanced Semiconductor, Inc.
-
1:
¥520.2407
-
1库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
974-BLX93A
寿命结束
|
Advanced Semiconductor, Inc.
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射频(RF)双极晶体管
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1库存量
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¥520.2407
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¥472.9954
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¥472.905
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¥425.7501
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查看
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报价
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最低: 1
倍数: 1
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MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V
- 2SJ168TE85LF
- Toshiba
-
1:
¥11.413
-
1,676库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
757-2SJ168TE85LF
寿命结束
|
Toshiba
|
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V
|
|
1,676库存量
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|
¥11.413
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¥7.1642
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¥4.7347
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¥4.1923
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¥3.729
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查看
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¥3.7403
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¥3.3109
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¥3.1979
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¥2.8137
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最低: 1
倍数: 1
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
- B11G3742N81DYZ
- Ampleon
-
1:
¥622.0198
-
216库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-B11G3742N81DYZ
Mouser 的新产品
|
Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
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216库存量
|
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¥622.0198
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¥540.3886
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¥504.2399
|
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¥486.9509
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¥452.1243
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最低: 1
倍数: 1
:
300
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GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
- T1G4020036-FS
- Qorvo
-
1:
¥10,837.1972
-
5库存量
|
Mouser 零件编号
772-T1G4020036-FS
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
|
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5库存量
|
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最低: 1
倍数: 1
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射频开发工具 Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB
- MAPC-A3010-ABSB1
- MACOM
-
受限供货情况
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A3010-ABSB1
新产品
|
MACOM
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射频开发工具 Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB
|
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射频开发工具 Application & Test Fixture, MAPC-A3009
- MAPC-A3009-ABSB1
- MACOM
-
受限供货情况
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A3009-ABSB1
新产品
|
MACOM
|
射频开发工具 Application & Test Fixture, MAPC-A3009
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
- BLS9G2731L-400U
- Ampleon
-
1:
¥3,023.1907
-
106库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLS9G2731L-400U
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
|
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106库存量
|
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¥3,023.1907
|
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¥2,616.063
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¥2,615.8144
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查看
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报价
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最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
- CG2H30070F
- MACOM
-
1:
¥5,091.2489
-
57库存量
-
30预期 2026/8/25
|
Mouser 零件编号
941-CG2H30070F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
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57库存量
30预期 2026/8/25
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¥5,091.2489
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¥4,454.2905
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最低: 1
倍数: 1
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射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
- MAX2602ESA+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
受限供货情况
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Mouser 零件编号
700-MAX2602ESA
|
Analog Devices / Maxim Integrated
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射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
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射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
- MAX2601ESA+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
受限供货情况
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Mouser 零件编号
700-MAX2601ESA
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
|
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射频开发工具 Test Board with GaN HEMT
- CGHV27060MP-AMP1
- MACOM
-
1:
¥6,762.7223
-
2库存量
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
941-CGHV27060MP-AMP1
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频开发工具 Test Board with GaN HEMT
|
|
2库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
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GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
- TGF2023-2-10
- Qorvo
-
50:
¥958.3191
-
50预期 2026/8/28
|
Mouser 零件编号
772-TGF2023-2-10
|
Qorvo
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GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
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50预期 2026/8/28
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最低: 50
倍数: 50
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GaN 场效应晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
- TGF2979-SM
- Qorvo
-
1:
¥889.4456
-
25预期 2026/7/16
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Mouser 零件编号
772-TGF2979-SM
|
Qorvo
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GaN 场效应晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
|
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25预期 2026/7/16
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¥889.4456
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¥856.4496
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¥702.634
|
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|
¥686.7349
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查看
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报价
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|
最低: 1
倍数: 1
|
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GaN 场效应晶体管 DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
- TGF2954
- Qorvo
-
50:
¥683.876
-
100预期 2026/7/17
|
Mouser 零件编号
772-TGF2954
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
|
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100预期 2026/7/17
|
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最低: 50
倍数: 50
|
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射频(RF)双极晶体管 NPN RF
Central Semiconductor CMUT5179 TR PBFREE
- CMUT5179 TR PBFREE
- Central Semiconductor
-
受限供货情况
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Mouser 零件编号
610-CMUT5179
|
Central Semiconductor
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射频(RF)双极晶体管 NPN RF
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GaN 场效应晶体管 DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr
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Mouser 零件编号
772-QPD1009TR7
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Qorvo
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GaN 场效应晶体管 DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY
- ART1K6PHGZ
- Ampleon
-
受限供货情况
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Mouser 零件编号
94-ART1K6PHGZ
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
- VRF164FL
- Microchip Technology
-
受限供货情况
-
新产品
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Mouser 零件编号
579-VRF164FL
新产品
|
Microchip Technology
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
- VRF164FLMP
- Microchip Technology
-
受限供货情况
-
新产品
|
Mouser 零件编号
579-VRF164FLMP
新产品
|
Microchip Technology
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0408H9S30G/TO270/REEL
- BLP0408H9S30GZ
- Ampleon
-
受限供货情况
-
新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP0408H9S30GZ
新产品
|
Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0408H9S30G/TO270/REEL
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY
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Mouser 零件编号
94-ART1K6PHZ
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Ampleon
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY
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射频(RF)双极晶体管 Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K
Diodes Incorporated 2DB1188QQ-13
- 2DB1188QQ-13
- Diodes Incorporated
-
受限供货情况
-
新产品
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Mouser 零件编号
621-2DB1188QQ-13
新产品
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Diodes Incorporated
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射频(RF)双极晶体管 Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL
- B10G2022N10DLZ
- Ampleon
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
94-B10G2022N10DLZ
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL
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