"RF TRANSISTOR"所有结果 (1,241)

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Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 NPN Sat Switch 75库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS avionics radar transistor 5库存量
最低: 1
倍数: 1

Advanced Semiconductor, Inc. BLX93A
Advanced Semiconductor, Inc. 射频(RF)双极晶体管 1库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V 1,676库存量
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
216库存量
最低: 1
倍数: 1
: 300

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
5库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频开发工具 Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB

MACOM 射频开发工具 Application & Test Fixture, MAPC-A3009

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
106库存量
最低: 1
倍数: 1

MACOM GaN 场效应晶体管 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
57库存量
30预期 2026/8/25
最低: 1
倍数: 1

Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz

Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz

MACOM 射频开发工具 Test Board with GaN HEMT
2库存量
最低: 1
倍数: 1
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
50预期 2026/8/28
最低: 50
倍数: 50

Qorvo GaN 场效应晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
25预期 2026/7/16
最低: 1
倍数: 1

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
100预期 2026/7/17
最低: 50
倍数: 50

Central Semiconductor CMUT5179 TR PBFREE
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 NPN RF

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0408H9S30G/TO270/REEL

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY

Diodes Incorporated 2DB1188QQ-13
Diodes Incorporated 射频(RF)双极晶体管 Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL