SCTH40N120G2V7AG

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Mouser编号：

511-SCTH40N120G2V7AG

制造商编号：

SCTH40N120G2V7AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm 33 A

完成您的设计

寿命周期:

停产

数据表:

SCTH40N120G2V7AG 数据表 (PDF)

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	33 A
Rds On-漏源导通电阻:	105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	63 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
单位重量:	1.892 g

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数据表

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SCTH40N120G2V7AG碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG碳化硅 (SiC) 功率MOSFET采用先进的创新第二代SiC MOSFET技术。该功率MOSFET具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。该SiC功率MOSFET具有高工作结温能力、极低栅极电荷和输入电容。该碳化硅MOSFET包含一个非常快速、结构坚固的内置体二极管，符合AEC-Q101标准。SCTH40N120G2V7AG MOSFET具有1200V漏极-源极电压、105mΩ最大静态漏极-源极导通电阻以及33A漏极电流。典型应用包括充电器、可再生能源系统电源和高频直流-直流转换器。