STMicroelectronics 半导体

选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS 1,497库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 1,549库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 872库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS 6,631库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans 613库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST 580库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 189库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan 115库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 389库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 687库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor 170库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor 186库存量
400预期 2026/2/17
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 266库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics 栅极驱动器 SOLID STATE RELAY 1,002库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST 无库存交货期 23 周
最低: 600
倍数: 600
卷轴: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel 无库存交货期 23 周
最低: 600
倍数: 600
卷轴: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 无库存交货期 23 周
最低: 600
倍数: 600
卷轴: 600

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 无库存交货期 23 周
最低: 400
倍数: 400

STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 无库存交货期 23 周
最低: 600
倍数: 600
卷轴: 600