Single SiC 半导体

结果: 1,077
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 2,518库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,012库存量
2,000预期 2027/5/25
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 1,968库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2 1,712库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 276库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 130库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 10

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 147库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 30

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 182库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 120

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 237库存量
720在途量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 396库存量
480在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 483库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 826库存量
240预期 2026/6/24
最低: 1
倍数: 1
最大: 70

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 784库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 790库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 760库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 394库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 392库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 384库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 468库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L 470库存量
最低: 1
倍数: 1

ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC 988库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Toshiba 碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,493库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Toshiba 碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 523库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi JFET UJ4N075005K4S 332库存量
最低: 1
倍数: 1