Single SiC 半导体

结果: 1,077
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 352库存量
480预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 111库存量
240预期 2026/6/24
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 138库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 20

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 137库存量
240预期 2026/6/24
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 10库存量
720在途量
最低: 1
倍数: 1

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK 770库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 660库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK 785库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263- 800库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L 795库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

Nexperia 碳化硅MOSFET NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK 750库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

Nexperia 碳化硅MOSFET SOT8107 1200V 36A N-CH 800库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S 30库存量
3,150预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1

GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 763库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

GeneSiC Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,547库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 1,235库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263 520库存量
800预期 2026/6/16
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi 碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263- 427库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

onsemi 碳化硅MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263 297库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800



STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package 465库存量
最低: 1
倍数: 1



STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 362库存量
最低: 1
倍数: 1



STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package 317库存量
1,200预期 2026/8/31
最低: 1
倍数: 1



STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 430库存量
最低: 1
倍数: 1



STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A 301库存量
最低: 1
倍数: 1



STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A 382库存量
最低: 1
倍数: 1