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碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
- MSC035SMA170B
- Microchip Technology
-
1:
¥335.5761
-
20预期 2026/7/10
|
Mouser 零件编号
494-MSC035SMA170B
|
Microchip Technology
|
碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
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20预期 2026/7/10
|
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¥335.5761
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¥309.4392
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¥269.3242
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查看
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
- MSC750SMA170S
- Microchip Technology
-
1:
¥53.7654
-
146库存量
|
Mouser 零件编号
494-MSC750SMA170S
|
Microchip Technology
|
碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268
|
|
146库存量
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¥53.7654
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¥49.5957
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¥43.0869
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最低： 1
倍数： 1
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碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
- TW015Z120C,S1F
- Toshiba
-
1:
¥167.579
-
20预期 2026/6/22
|
Mouser 零件编号
757-TW015Z120CS1F
|
Toshiba
|
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
|
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20预期 2026/6/22
|
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|
¥167.579
|
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¥119.0229
|
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|
¥103.9713
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报价
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报价
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最低： 1
倍数： 1
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碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
- SCT040W120G3-4
- STMicroelectronics
-
1:
¥106.785
-
100在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SCT040W120G3-4
新产品
|
STMicroelectronics
|
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
|
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100在途量
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¥106.785
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¥71.6307
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¥62.9523
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¥53.9349
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最低： 1
倍数： 1
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|
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
- SCTHC250N120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
¥635.173
-
1在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SCTHC250N120G3AG
新产品
|
STMicroelectronics
|
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
|
|
1在途量
|
|
|
¥635.173
|
|
|
¥502.3302
|
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|
¥473.3005
|
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最低： 1
倍数： 1
|
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|
碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
- AIMBG75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥152.5274
-
50预期 2027/4/26
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-AIMBG75R020M2HXT
新产品
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
|
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50预期 2027/4/26
|
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|
¥152.5274
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|
¥116.2205
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|
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¥96.7732
|
|
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¥86.2755
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¥73.2014
|
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最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
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碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMDQ75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥152.4483
-
50在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IMDQ75R020M2HXTM
新产品
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
50在途量
|
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¥152.4483
|
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|
¥116.1301
|
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|
¥96.6941
|
|
|
¥86.1851
|
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|
¥73.2014
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
750
|
|
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|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥79.9814
-
240预期 2026/8/6
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IMZA120R078M2HXK
新产品
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
240预期 2026/8/6
|
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|
¥79.9814
|
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|
¥50.8726
|
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¥39.6178
|
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¥37.0527
|
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最低： 1
倍数： 1
|
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碳化硅MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R40MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
¥153.5557
-
600预期 2026/8/17
|
Mouser 零件编号
905-G3R40MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
碳化硅MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
600预期 2026/8/17
|
|
|
¥153.5557
|
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|
¥140.2669
|
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|
¥135.2271
|
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|
¥128.1081
|
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|
¥125.2379
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
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|
碳化硅MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
- G3R450MT17D
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
¥62.6246
-
1,740预期 2026/10/9
|
Mouser 零件编号
905-G3R450MT17D
|
GeneSiC Semiconductor
|
碳化硅MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
|
|
1,740预期 2026/10/9
|
|
|
¥62.6246
|
|
|
¥56.274
|
|
|
¥53.9349
|
|
|
¥50.5449
|
|
|
¥48.4657
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
- UF3C065040T3S
- onsemi
-
1:
¥168.3135
-
无库存交货期 34 周
|
Mouser 零件编号
431-UF3C065040T3S
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
|
|
无库存交货期 34 周
|
|
|
¥168.3135
|
|
|
¥100.1406
|
|
|
¥99.8807
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
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|
碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-
- UJ4SC075009K4S
- onsemi
-
600:
¥201.2304
-
无库存交货期 31 周
|
Mouser 零件编号
431-UJ4SC075009K4S
|
onsemi
|
碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-
|
|
无库存交货期 31 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
|
|
IGBT 模块 IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 60 A SOT-227
- APT60GF120JRDQ3
- Microchip Technology
-
10:
¥935.0185
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-APT60GF120JRDQ3
|
Microchip Technology
|
IGBT 模块 IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 60 A SOT-227
|
|
无库存
|
|
最低： 10
倍数： 1
|
|
|
|
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC130SM120JCU2
- Microchip Technology
-
1:
¥715.6629
-
无库存交货期 20 周
|
Mouser 零件编号
494-MSC130SM120JCU2
|
Microchip Technology
|
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
无库存交货期 20 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT070W120G3-4
- STMicroelectronics
-
1:
¥100.7508
-
无库存交货期 32 周
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SCT070W120G3-4
新产品
|
STMicroelectronics
|
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
|
|
无库存交货期 32 周
|
|
|
¥100.7508
|
|
|
¥66.4214
|
|
|
¥58.2289
|
|
|
¥49.7087
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
- AIMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥183.7945
-
交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZA75R020M1HXK
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
|
|
交货期 52 周
|
|
|
¥183.7945
|
|
|
¥132.5151
|
|
|
¥98.0162
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
- AIMZA75R040M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥102.4006
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZA75R040M1HXK
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥102.4006
|
|
|
¥73.6986
|
|
|
¥54.8389
|
|
|
¥51.867
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZH120R080M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥79.9814
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZH120R080M1TX
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥79.9814
|
|
|
¥47.3131
|
|
|
¥40.0359
|
|
|
¥39.9568
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R010M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥283.8786
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R010M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥283.8786
|
|
|
¥231.6839
|
|
|
¥206.0442
|
|
|
¥193.8063
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R030M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥138.6284
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R030M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥138.6284
|
|
|
¥116.4691
|
|
|
¥88.9197
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R060M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥110.175
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R060M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥110.175
|
|
|
¥74.4444
|
|
|
¥58.3193
|
|
|
¥52.771
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
- AIMZHN120R120M1TXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥59.0538
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
726-AIMZHN120R120M1T
|
Infineon Technologies
|
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥59.0538
|
|
|
¥46.8159
|
|
|
¥37.3917
|
|
|
¥33.6627
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
碳化硅MOSFET TO268 1.2KV 90A SIC POWER
- MCB60I1200TZ-TUB
- IXYS
-
30:
¥873.8968
-
无库存交货期 92 周
|
Mouser 零件编号
747-MCB60I1200TZ-TUB
|
IXYS
|
碳化硅MOSFET TO268 1.2KV 90A SIC POWER
|
|
无库存交货期 92 周
|
|
最低： 30
倍数： 30
|
|
|
|
|
MOSFET模块 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module
- BSM120C12P2C201
- ROHM Semiconductor
-
12:
¥3,638.0124
-
无库存交货期 27 周
|
Mouser 零件编号
755-BSM120C12P2C201
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET模块 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
最低： 12
倍数： 12
|
|
|
|
|
MOSFET模块 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM180C12P3C202
- ROHM Semiconductor
-
12:
¥4,684.4602
-
无库存交货期 27 周
|
Mouser 零件编号
755-BSM180C12P3C202
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET模块 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
最低： 12
倍数： 12
|
|
|
