APS6404L-3SQN-ZR

Name: AP Memory Technology APS6404L-3SQN-ZR
Brand: AP Memory
SKU: 878-APS6404L-3SQN-ZR
Price: 12.66 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

878-APS6404L-3SQN-ZR

制造商编号：

APS6404L-3SQN-ZR

制造商：

AP Memory

说明：

动态随机存取存储器 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR

寿命周期:

Mouser 的新产品

数据表:

APS6404L-3SQN-ZR 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥14.3058	¥14.31
	¥13.0741	¥130.74
	¥12.7351	¥318.38
	¥12.4074	¥620.37
	¥12.1588	¥1,215.88
	¥11.7407	¥2,935.18
	¥11.4921	¥5,746.05
	¥11.413	¥11,413.00
	¥10.9158	¥27,289.50
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥10.9158	¥109,158.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	AP Memory Technology
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	PSRAM (Pseudo SRAM)
存储容量:	64 Mbit
数据总线宽度:	4 bit / 1 bit
最大时钟频率:	133 MHz
封装 / 箱体:	USON-8
组织:	8 M x 8
电源电压-最小:	2.7 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	IoT RAM
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	AP Memory
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	10000
子类别:	Memory & Data Storage

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数据表

APS6404L-3SQN-ZR 数据表 (PDF)

Certificate of Compliance (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

四通道SPI (QSPI) PSRAM SDR，采用USON8封装

AP Memory四通道SPI (QSPI) PSRAM SDR采用USON8封装，提供从16M至64M密度范围、2M x8或8M x8布局的物联网 (IoT) RAM。PSRAM SDR采用USON8封装，与SOP8相比，实现了紧凑的解决方案，也保持了PCB的简洁性。四通道SPI伪静态随机存取存储器 (PSRAM) SDR具有84MHz至144MHz的最大时钟频率，具体取决于器件。此外，该器件支持工作在1.8V和3V两个版本的电源电压，支持工作在-40°C至+85°C的工业级温度范围。AP Memory四通道SPI PSRAM SDR采用USON8封装，非常适合用于需要低引脚数和超低功耗扩展存储器的SoC应用的存储器选择。