BFU530R

Name: NXP BFU530R
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU530R
Price: 4.9 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

771-BFU530R

制造商编号：

BFU530R

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

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数量	单价	总价
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	¥3.4465	¥34.47
	¥2.2035	¥220.35
	¥1.695	¥847.50
	¥1.5029	¥1,502.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.1639	¥3,491.70

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	NXP
产品种类:	射频(RF)双极晶体管
RoHS:
系列:	BFU530
晶体管类型:	Bipolar Wideband
技术:	Si
晶体管极性:	NPN
工作频率:	11 GHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:	60
集电极—发射极最大电压 VCEO:	12 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	2 V
集电极连续电流:	40 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
配置:	Single
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-143B-4
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	NXP Semiconductors
最大直流电集电极电流:	65 mA
输出功率:	10 dBm
Pd-功率耗散:	450 mW
产品类型:	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
零件号别名:	934067703215
单位重量:	9 mg

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF 晶体管

NXP Semiconductor BFU5x NPN 宽带硅射频晶体管是符合 AEC-Q101 标准的低噪声、高击穿电压射频晶体管，适用于频率高达 2GHz 的小信号到中等功率应用。BFU5x 射频晶体管具有优异的性能，可产生 20dB 的最大增益，900MHz 频率下噪声值仅为 0.7dB。这些器件在低到中等功率时可实现更佳的信号接收，并使射频接收器能在嘈杂环境中更稳定地工作。用作（低噪声）放大器或振荡器时，BFU5x 射频晶体管支持高电源电压和高击穿电压。这使得这些器件成为汽车、通信、工业等应用的理想选择。该产品系列采用多种行业标准封装，包括 SOT323、SOT23和 SOT143 等。
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