BFU530WX

NXP Semiconductors
771-BFU530WX
BFU530WX

制造商：

说明：
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 20,826

库存：
20,826 可立即发货
生产周期：
99 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥4.5539 ¥4.55
¥2.8815 ¥28.82
¥2.3278 ¥232.78
¥2.1244 ¥1,062.20
¥2.0114 ¥2,011.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.9323 ¥5,796.90
¥1.8193 ¥10,915.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS:  
BFU530W
Bipolar Wideband
Si
NPN
11 GHz
60
12 V
2 V
40 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-323-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: NXP Semiconductors
最大直流电集电极电流: 65 mA
输出功率: 10 dBm
Pd-功率耗散: 450 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: 934067694115
单位重量: 5.569 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF 晶体管

NXP Semiconductor BFU5x NPN 宽带硅射频晶体管是符合 AEC-Q101 标准的低噪声、高击穿电压射频晶体管，适用于频率高达 2GHz 的小信号到中等功率应用。BFU5x 射频晶体管具有优异的性能，可产生 20dB 的最大增益，900MHz 频率下噪声值仅为 0.7dB。这些器件在低到中等功率时可实现更佳的信号接收，并使射频接收器能在嘈杂环境中更稳定地工作。用作（低噪声）放大器或振荡器时，BFU5x 射频晶体管支持高电源电压和高击穿电压。这使得这些器件成为汽车、通信、工业等应用的理想选择。该产品系列采用多种行业标准封装，包括 SOT323、SOT23和 SOT143 等。
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