BFU530XRR

NXP Semiconductors
771-BFU530XRR
BFU530XRR

制造商：

说明：
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
数据表:
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库存量: 1,655

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5.537 ¥5.54
¥3.4465 ¥34.47
¥2.2035 ¥220.35
¥1.695 ¥847.50
¥1.6385 ¥1,638.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.3786 ¥4,135.80
¥1.356 ¥32,544.00

产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS:  
BFU530XR
Bipolar Wideband
Si
NPN
11 GHz
60
12 V
2 V
40 mA
- 40 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-143R-4
Reel
Cut Tape
商标: NXP Semiconductors
最大直流电集电极电流: 65 mA
输出功率: 10.5 dBm
Pd-功率耗散: 450 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: 934067712215
单位重量: 8.810 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

BFU5x NPN Wideband Silicon RF 晶体管

NXP Semiconductor BFU5x NPN 宽带硅射频晶体管是符合 AEC-Q101 标准的低噪声、高击穿电压射频晶体管，适用于频率高达 2GHz 的小信号到中等功率应用。BFU5x 射频晶体管具有优异的性能，可产生 20dB 的最大增益，900MHz 频率下噪声值仅为 0.7dB。这些器件在低到中等功率时可实现更佳的信号接收，并使射频接收器能在嘈杂环境中更稳定地工作。用作（低噪声）放大器或振荡器时，BFU5x 射频晶体管支持高电源电压和高击穿电压。这使得这些器件成为汽车、通信、工业等应用的理想选择。该产品系列采用多种行业标准封装，包括 SOT323、SOT23和 SOT143 等。
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