BSM120D12P2C005

ROHM Semiconductor
755-BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005

制造商：

说明：
MOSFET模块 Mod: 1200V 120A (w/ Diode)

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
134 A
- 6 V, + 22 V
2.3 V
- 40 C
+ 150 C
935 W
BSMx
Bulk
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 60 ns
高度: 21.1 mm
长度: 122 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 12
子类别: Discrete and Power Modules
类型: SiC Power Module
典型关闭延迟时间: 170 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
宽度: 45.6 mm
单位重量: 279.413 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
KRHTS:
8542311000
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

SiC功率模块

ROHM Semiconductor SiC功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比，此优化设计减少了杂散电感。另外，为了防止发生过热情况，还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。

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