BSM180D12P3C007

ROHM Semiconductor
755-BSM180D12P3C007
BSM180D12P3C007

制造商：

说明：
MOSFET模块 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

数据表:
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ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
180 A
- 4 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
880 W
BSMx
Tray
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 50 ns
高度: 21.1 mm
长度: 122 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 12
子类别: Discrete and Power Modules
类型: SiC Power Module
典型关闭延迟时间: 165 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
宽度: 45.6 mm
单位重量: 302.171 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8504901900
USHTS:
8541590080
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

SiC功率模块

ROHM Semiconductor SiC功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比，此优化设计减少了杂散电感。另外，为了防止发生过热情况，还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。

库存量: 8

库存：
8 可立即发货
生产周期：
27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
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¥5,324.7634 ¥63,897.16

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