BSM300D12P4G101

ROHM Semiconductor
755-BSM300D12P4G101
BSM300D12P4G101

制造商：

说明：
MOSFET模块 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 4

库存：
4 可立即发货
生产周期：
27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥5,260.6585 ¥5,260.66
¥4,485.3542 ¥53,824.25

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
Screw Mount
62 mm
- 40 C
+ 150 C
Bulk
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 57 ns
Id-连续漏极电流: 291 A
长度: 152 mm
通道数量: 2 Channel
封装 / 箱体: Module
Pd-功率耗散: 925 W
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 4
子类别: Discrete and Power Modules
技术: SiC
晶体管极性: N-Channel
类型: SiC Power Module
典型关闭延迟时间: 270 ns
典型接通延迟时间: 63 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压: - 4 V, + 21 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.8 V
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiC功率模块

ROHM Semiconductor SiC功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比，此优化设计减少了杂散电感。另外，为了防止发生过热情况，还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。

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