BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 4488.55 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-BST400D12P4A101

制造商编号：

BST400D12P4A101

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET模块 half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

寿命周期:

新产品:

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥5,072.0615	¥5,072.06
	¥4,285.2651	¥42,852.65

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET模块
技术:	SiC
安装风格:	Press Fit
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	394 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 21 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	1.667 kW
封装:	Bulk
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Dual
下降时间:	42 ns
产品:	Power Module
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	102 ns
工厂包装数量:	80
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EcoSiC
典型关闭延迟时间:	198 ns
典型接通延迟时间:	119 ns

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Specification Sheets

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合规代码

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules

ROHM Semiconductor出品的BST400D12P4A101与 BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ Molded Module（2-in-1 SiC模塑模块），其额定电压为1200V，并采用尺寸为41.6mm × 52.5mm的紧凑型封装设计。该款产品集成第4代SiC MOSFET，实现了高功率密度设计，从而显著缩小了电动汽车（xEV）逆变器的体积规模。ROHM Semiconductor推出的BST400D12P4A101与BST400D12P4A111模块，具备支持最高300kW的系统功率的能力，其信号终端配置针对牵引逆变器在小型化、高效化及降低人工成本等方面的核心挑战而专门设计开发。该款产品的信号端子无需焊接，为设计人员在实际使用中提供更高的操作便捷性。

高密度SiC功率模块

ROHM Semiconductor研发的高密度碳化硅 (SiC) 功率模块旨在满足汽车和工业应用场景对高效电源转换的需求。提供多个产品系列，包括TRCDRIVE pack™、HSDIP20及DOT-247等。各产品系列面向不同的功率等级水平与系统要求进行了针对性优化。旗下产品系列通过将SiC MOSFET集成于高度紧凑的模块结构内，实现了更高的功率密度、更可靠的开关性能以及更为高效的散热管理表现。根据不同产品系列，可提供2合1、4合1与6合1等多种配置方案，从而为各类电源转换与电机驱动应用提供了更高的配置灵活性。