BST70B2P4K01-VC

Name: ROHM Semiconductor BST70B2P4K01-VC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST70B2P4K01-VC
Price: 722.19 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-BST70B2P4K01-VC

制造商编号：

BST70B2P4K01-VC

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET模块 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET模块
技术:	SiC
通道数量:	4 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	70 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 21 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	385 W
封装:	Bulk
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Quad
下降时间:	15 ns
产品:	Power Module
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	36 ns
工厂包装数量:	60
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EcoSiC
典型关闭延迟时间:	153 ns
典型接通延迟时间:	36 ns

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数据表

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Specification Sheets

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合规代码

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

高密度SiC功率模块

ROHM Semiconductor研发的高密度碳化硅 (SiC) 功率模块旨在满足汽车和工业应用场景对高效电源转换的需求。提供多个产品系列，包括TRCDRIVE pack™、HSDIP20及DOT-247等。各产品系列面向不同的功率等级水平与系统要求进行了针对性优化。旗下产品系列通过将SiC MOSFET集成于高度紧凑的模块结构内，实现了更高的功率密度、更可靠的开关性能以及更为高效的散热管理表现。根据不同产品系列，可提供2合1、4合1与6合1等多种配置方案，从而为各类电源转换与电机驱动应用提供了更高的配置灵活性。