BST70B2P4K01-VC

ROHM Semiconductor
755-BST70B2P4K01-VC
BST70B2P4K01-VC

制造商：

说明：
MOSFET模块 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

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库存量: 60

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥936.092 ¥936.09
¥778.683 ¥7,786.83
¥714.1713 ¥85,700.56

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET模块
SiC
4 Channel
1.2 kV
70 A
25 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 175 C
385 W
Bulk
商标: ROHM Semiconductor
配置: Quad
下降时间: 15 ns
产品: Power Module
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 36 ns
工厂包装数量: 60
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: EcoSiC
典型关闭延迟时间: 153 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

高密度SiC功率模块

ROHM Semiconductor研发的高密度碳化硅 (SiC) 功率模块旨在满足汽车和工业应用场景对高效电源转换的需求。提供多个产品系列，包括TRCDRIVE pack™、HSDIP20及DOT-247等。各产品系列面向不同的功率等级水平与系统要求进行了针对性优化。旗下产品系列通过将SiC MOSFET集成于高度紧凑的模块结构内，实现了更高的功率密度、更可靠的开关性能以及更为高效的散热管理表现。根据不同产品系列，可提供2合1、4合1与6合1等多种配置方案，从而为各类电源转换与电机驱动应用提供了更高的配置灵活性。

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