BUK7Y1R0-40NX

Name: Nexperia BUK7Y1R0-40NX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK7Y1R0-40NX
Price: 20.57 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-BUK7Y1R0-40NX

制造商编号：

BUK7Y1R0-40NX

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK

数据表:

BUK7Y1R0-40NX 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-SO8-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	320 A
Rds On-漏源导通电阻:	970 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	135 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	268 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	58 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	49 ns
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	Enhanced-Trench Bottom Oxide (e-TBO) MOSFET
典型关闭延迟时间:	79 ns
典型接通延迟时间:	25 ns
零件号别名:	934666555115

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数据表

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET

Nexperia BUK7Y1R0-40N & BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET的设计和测试符合AEC-Q101的要求，具有高性能和高耐用性。这些MOSFET提供快速高效的开关，具有最佳的阻尼和低的尖峰。BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET采用LFPAK56封装。BUK7Y1R0-40N N沟道MOSFET采用Trench 15低欧姆增强型沟槽底部氧化物 (e-TBO) 技术，而BUK7Y3R1-80M则采用Trench 14低欧姆分离栅技术。这些N沟道MOSFET符合EU RoHS指令，具有175°C的最高结温范围。典型应用包括电机、照明和电磁阀控制、12V汽车系统和超高性能电源开关。