C3M0030170K

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Mouser编号：

941-C3M0030170K

制造商编号：

C3M0030170K

制造商：

Wolfspeed

说明：

碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4, Industrial

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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交货限制:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Wolfspeed
产品种类:	碳化硅MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1700 V
Id-连续漏极电流:	74 A
Rds On-漏源导通电阻:	40.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	219 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	427 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	C3M
商标:	Wolfspeed
配置:	Single
下降时间:	20 ns
正向跨导 - 最小值:	53 S
产品:	MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	38 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1N-Channel
类型:	Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	96 ns
典型接通延迟时间:	47 ns

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数据表

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合规代码

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFET能够实现更高的开关频率，减小电感器、电容器、滤波器和变压器的器件尺寸。 SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和较低的冷却需求。 MOSFET还可增加功率密度和系统转换频率。

1700V分立碳化硅（SiC）MOSFET

Wolfspeed 1700V分立碳化硅（SiC）MOSFET专为在高压功率转换系统中提供卓越的效率、功率密度和可靠性而设计。通过利用先进的SiC技术，这些MOSFET与传统的基于硅的器件相比，可实现更快的开关速度、更高的工作频率和更低的功率损耗。结果是系统设计更小、更轻、更高效，冷却要求降低，整体系统成本更低。Wolfspeed 1700V器件采用12V至15V栅极驱动操作，电容小，耐压能力高，可在要求苛刻的工业和能源应用中提供强大的性能。