CDF56G7032N TR13 PBFREE

Central Semiconductor
610-CD56G7032NTR13PB
CDF56G7032N TR13 PBFREE

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Central Semiconductor
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
700 V
18 A
140 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
3.5 nC
- 55 C
+ 155 C
113 W
Depletion
GaN
商标: Central Semiconductor
配置: Single
下降时间: 6 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Field Effect Transistors
产品类型: GaN FETs
上升时间: 5 ns
系列: GaN FETs
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power FET
典型关闭延迟时间: 4 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

库存量: 2,458

库存：
2,458 可立即发货
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥60.0482 ¥60.05
¥32.1711 ¥321.71
¥29.4478 ¥2,944.78
¥27.9562 ¥13,978.10
¥25.6397 ¥25,639.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥22.7469 ¥56,867.25

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