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DMG4468LK3-13

Name: Diodes Incorporated DMG4468LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMG4468LK3-13
Price: 7.91 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMG4468LK3-13

制造商编号：

DMG4468LK3-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A

数据表:

DMG4468LK3-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	9.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.05 V
Qg-栅极电荷:	18.85 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.68 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	6.01 ns
正向跨导 - 最小值:	8 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	14.53 ns
系列:	DMG4468
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	18.84 ns
典型接通延迟时间:	5.46 ns
单位重量:	330 mg

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数据表

DMG4468LK3-13 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-15 (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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The Diodes Inc. DMG44x and DMG48x Enhancement Mode MOSFETs are high-reliability N-channel enhancement mode MOSFETs. These DMG44x and DMG48x enhancement mode MOSFETs feature low on-resistance, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.

特色产品

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采用热效率高的小尺寸封装，具有低导通电阻特性。

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库存量: 672

库存：: 672 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.9383	¥8.94
	¥4.0906	¥40.91
	¥3.616	¥361.60
	¥3.3109	¥1,655.45
	¥2.7798	¥2,779.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.2035	¥5,508.75
	¥1.9323	¥9,661.50
	¥1.921	¥19,210.00
	¥1.7515	¥43,787.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

DMG4468LK3-13

制造商： Diodes Incorporated

说明： MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A

规格

文件 (2)

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说明：

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