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DMN3730UFB4-7

Name: Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN3730UFB4-7
Price: 6.59 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMN3730UFB4-7

制造商编号：

DMN3730UFB4-7

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V

数据表:

DMN3730UFB4-7 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	X2-DFN1006-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	730 mA
Rds On-漏源导通电阻:	460 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	450 mV
Qg-栅极电荷:	1.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	690 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
正向跨导 - 最小值:	40 mS
产品类型:	MOSFETs
系列:	DMN37
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	1 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMN3730UFB4-7 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8532240000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMN3730UFB/4 30V N-Ch MOSFETs

Diodes Incorporated DMN3730UFB/4 30V N-Channel MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)) and conduction loss, and yet maintain superior switching performance. Diodes Inc DMN3730UFB/4 MOSFETs are ideal for high efficiency power management applications such as load switches, portable applications, and power management functions.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.