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DMN53D0L-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0L-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0L-13
Price: 2.56 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMN53D0L-13

制造商编号：

DMN53D0L-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET N-CHANNEL MOSFET

数据表:

DMN53D0L-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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库存量: 78

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预期 2027/1/15
生产周期：: 40

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 1880

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按10000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥2.8928	¥2.89
	¥1.808	¥18.08
	¥1.12548	¥112.55
	¥0.8023	¥401.15
	¥0.70286	¥702.86
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥0.70286	¥7,028.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

DMN53D0L-7

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥2.486

最小:

类似产品

制造商：

Diodes Incorporated

制造商编号：

DMN53D0L-7

说明：

MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-23-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	50 V
Id-连续漏极电流:	500 mA
Rds On-漏源导通电阻:	1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	1.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	420 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	11 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.5 ns
系列:	DMN53
工厂包装数量:	10000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	2.7 ns
单位重量:	8 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMN53D0L-13 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.