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DMN53D0LQ-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LQ-13
Price: 2.12 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMN53D0LQ-13

制造商编号：

DMN53D0LQ-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET 2N7002 Family

数据表:

DMN53D0LQ-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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库存量: 14,607

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在途量:: 20,000

预期 2026/6/5
生产周期：: 24

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按10000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥2.3956	¥2.40
	¥1.4916	¥14.92
	¥0.93451	¥93.45
	¥0.68704	¥343.52
	¥0.54579	¥545.79
	¥0.47121	¥2,356.05
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥0.41358	¥4,135.80
	¥0.34691	¥6,938.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

DMN53D0LQ-7

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥2.3956

最小:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-23-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	50 V
Id-连续漏极电流:	500 mA
Rds On-漏源导通电阻:	1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	800 mV
Qg-栅极电荷:	600 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	540 mW
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	11 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.5 ns
系列:	DMN53
工厂包装数量:	10000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	2.7 ns
单位重量:	8 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMN53D0LQ-13 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.