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DMN53D0LW-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LW-13
Price: 2.56 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMN53D0LW-13

制造商编号：

DMN53D0LW-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

数据表:

DMN53D0LW-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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库存量: 17,750

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预期 2027/1/29
生产周期：: 40

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按10000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥2.8928	¥2.89
	¥2.0001	¥20.00
	¥1.2769	¥127.69
	¥0.8023	¥401.15
	¥0.70286	¥702.86
	¥0.62037	¥1,550.93
	¥0.52093	¥2,604.65
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥0.4633	¥4,633.00
	¥0.33109	¥6,621.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

DMN53D0LW-7

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥2.7346

最小:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-323-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	50 V
Id-连续漏极电流:	360 mA
Rds On-漏源导通电阻:	2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	800 mV
Qg-栅极电荷:	1.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	420 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	80 mS
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.5 ns
系列:	DMN53
工厂包装数量:	10000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	18.9 ns
典型接通延迟时间:	2.7 ns
单位重量:	6 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

DMN53D0LW-13 数据表 (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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