DMTH4M70SPGWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH4M70SPGWQ-13
Price: 30.82 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-DMTH4M70SPGWQ-13

制造商编号：

DMTH4M70SPGWQ-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI8080-5 T&R 2K

数据表:

DMTH4M70SPGWQ-13 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	460 A
Rds On-漏源导通电阻:	700 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	117.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	428 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diodes Incorporated
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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