FDMA86265P

onsemi
512-FDMA86265P
FDMA86265P

制造商:

说明:
MOSFET -150 P-Channel PowerTrench MOSFET

ECAD模型:
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库存量: 13,715

库存:
13,715 可立即发货
生产周期:
31 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥13.6504 ¥13.65
¥8.6897 ¥86.90
¥5.7969 ¥579.69
¥4.5652 ¥2,282.60
¥4.1697 ¥4,169.70
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥3.6612 ¥10,983.60
¥3.4126 ¥20,475.60
¥3.3335 ¥30,001.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFET-6
P-Channel
1 Channel
150 V
1 A
860 mOhms
- 25 V, 25 V
3.2 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
2.4 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 6.4 ns
正向跨导 - 最小值: 1.9 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 2.2 ns
系列: FDMA86265P
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 5.8 ns
单位重量: 40 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

仙童 中压 P 沟道 MOSFET

仙童中压 P 沟道 MOSFET 是 100V 和 150V P 沟道 MOSFET,具有业界同类最佳的 RDS-ON 及 Qg 。这些器件中每一个均采用 仙童 先进的 PowerTrench® 技术制成。这一超高密度工艺经过量身定制,专为降低通态电阻并实现出色的开关性能而设计。典型应用包括电机驱动的高边开关、照明、直流-直流电中的有源钳位、以及负载开关等。
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仙童 提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童 提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET,利用其先进的 Power Trench® 工艺,该工艺经优化实现了低 RDS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要,如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
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