FDMC86261P

Name: onsemi FDMC86261P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC86261P
Price: 18.81 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDMC86261P

制造商编号：

FDMC86261P

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

数据表:

FDMC86261P 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi FDMC86261P详情

库存量: 10,134

库存：: 10,134 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 32 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥21.2553	¥21.26
	¥12.9837	¥129.84
	¥9.1869	¥918.69
	¥7.7631	¥3,881.55
	¥7.6727	¥7,672.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥6.5992	¥19,797.60
	¥6.3732	¥38,239.20
24,000	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-33-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	2.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	269 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	24 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	40 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	20 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	FDMC86261P
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	33 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
单位重量:	165.330 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FDMC86261P 数据表

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N通道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺制成，此种工艺专门设计用以将通态电阻降至最低，同时保持出众的开关性能。Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET具有30V-250V各种漏极至源极电压规格。

FDD10N20LZ和FDD7N25LZ均为N通道增强型模式功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有平面条状和DMOS技术制成。该先进技术特别设计用于将通态电阻降至最低，提供出众的开关性能，且能承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源和主动功率因数校正。

FDMC6296是一款单N通道MOSFET，采用高热效率MicroFET封装。其经过特别设计以确保负载点转换器中的出色表现。通过提供r_DS(on)和栅极电荷之间的最佳平衡，此器件可有效用作一个“高侧”控制开关或“低侧”同步整流器。
了解更多

仙童中压 P 沟道 MOSFET

仙童中压 P 沟道 MOSFET 是 100V 和 150V P 沟道 MOSFET，具有业界同类最佳的 R_DS-ON 及 Q_g 。这些器件中每一个均采用仙童先进的 PowerTrench® 技术制成。这一超高密度工艺经过量身定制，专为降低通态电阻并实现出色的开关性能而设计。典型应用包括电机驱动的高边开关、照明、直流-直流电中的有源钳位、以及负载开关等。
了解更多