FDMS86200DC

Name: onsemi FDMS86200DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86200DC
Price: 38.21 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FDMS86200DC

制造商编号：

FDMS86200DC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET

数据表:

FDMS86200DC 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥43.1773	¥43.18
	¥28.1257	¥281.26
	¥21.1762	¥2,117.62
	¥20.679	¥10,339.50
	¥19.7637	¥19,763.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥16.9613	¥50,883.90

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DualCool-56-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	28 A
Rds On-漏源导通电阻:	14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.3 V
Qg-栅极电荷:	30 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	32 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	FDMS86200DC
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	23 ns
典型接通延迟时间:	16 ns
单位重量:	90 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

FDMS86200DC 数据表

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

能源基础设施解决方案

安森美 (onsemi) 能源基础设施解决方案旨在解决不断发展变化的能源产生、分配和存储问题，从而达到政府政策设定的目标并满足不断增长的消费需求。能源基础设施的演变重点关注以下方面：提高效率目标、减少二氧化碳排放量以及重视可再生清洁能源。安森美提供全面的高能效解决方案，可满足各种大功率应用的苛刻要求，包括碳化硅 (SiC) 二极管、智能功率模块和电流检测放大器。

Dual Cool™ MOSFETs

onsemi Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs provide Dual Cool packaging technology that features bottom- and top-side cooling in a PQFN package. The PQFN footprint is an industry standard and provides performance flexibility for the designer. The Dual Cool MOSFETs feature enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over wire-bonded predecessors. The use of a heat sink with Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. When a heat sink is used with onsemi Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and increased power density.