GCMS080B120S1-E1

SemiQ
148-GCMS080B120S1-E1
GCMS080B120S1-E1

制造商：

说明：
分立半导体模块 SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET-SiC SBD Modules
COPACK Power Module
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
SOT-227-4
- 55 C
+ 175 C
Tube
商标: SemiQ
配置: Single
下降时间: 14 ns
Id-连续漏极电流: 30 A
Pd-功率耗散: 142 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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