GCMX005A120B3B1P

SemiQ
148-GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P

制造商：

说明：
MOSFET模块 SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module

数据表:
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库存量: 34

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥1,098.6312 ¥1,098.63
¥958.2626 ¥9,582.63
¥920.9613 ¥92,096.13
整卷卷轴（请按40的倍数订购）
¥958.2626 ¥38,330.50
500 报价

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Screw Mount
N-Channel
1.2 kV
383 A
4.4 mOhms
- 5 V, + 20 V
1.8 V
- 40 C
+ 175 C
1.154 kW
GCMX
Reel
Cut Tape
商标: SemiQ
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 40
子类别: Discrete and Power Modules
类型: Half-Bridge
典型关闭延迟时间: 114 ns
典型接通延迟时间: 51 ns
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX 1200 V SiC MOSFET半桥模块

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半桥模块具有低开关损耗、低结至外壳热阻，并且非常坚固且易于安装。此系列模块直接安装散热片（隔离式封装），并包含一个开尔文基准，以实现稳定运行。所有零件均经过严格测试，可耐受1350V以上的电压。该模块的一项出色特性是其稳健的1200V漏源电压。GCMX半桥模块的工作结温为175°C，符合RoHS指令。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压DC-DC转换器。

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