GCMX080A120B2H1P

SemiQ
148-GCMX080A120B2H1P
GCMX080A120B2H1P

制造商：

说明：
MOSFET模块 SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module

数据表:
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¥343.7686 ¥343.77
¥290.1727 ¥2,901.73
¥290.0823 ¥29,008.23
整卷卷轴（请按40的倍数订购）
¥290.1727 ¥11,606.91

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Press Fit
N-Channel
1.2 kV
27 A
77 mOhms
- 5 V, + 20 V
1.8 V
- 40 C
+ 175 C
119 W
GCMX
Reel
Cut Tape
商标: SemiQ
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 40
子类别: Discrete and Power Modules
类型: Full Bridge
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX 1200 V SiC MOSFET全桥模块

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET全桥模块具有低开关损耗、低结至外壳热阻，并且非常坚固且易于安装。此系列模块直接安装散热片（隔离式封装），并包含一个开尔文基准，以实现稳定运行。所有零件均经过严格测试，可耐受1350V以上的电压。该模块的一个标志性特征是其稳健的1200V漏源电压。GCMX全桥模块的工作结温为175°C，符合RoHS指令。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压DC-DC转换器。

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