GCMX080A120B2H2P

SemiQ
148-GCMX080A120B2H2P
GCMX080A120B2H2P

制造商：

说明：
MOSFET模块 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解SemiQ GCMX080A120B2H2P详情
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: MOSFET模块
发货限制：
 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:  
SiC
Press Fit
B2
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
27 A
100 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
119 W
GCMX
Bulk
商标: SemiQ
下降时间: 12 ns
高度: 15 mm
长度: 62.8 mm
产品: Modules
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 40
子类别: Discrete and Power Modules
类型: Full Bridge Module
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
Vf - 正向电压: 4.2 V
宽度: 33.8 mm
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

GCMX 1200 V SiC MOSFET全桥模块

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET全桥模块具有低开关损耗、低结至外壳热阻，并且非常坚固且易于安装。此系列模块直接安装散热片（隔离式封装），并包含一个开尔文基准，以实现稳定运行。所有零件均经过严格测试，可耐受1350V以上的电压。该模块的一个标志性特征是其稳健的1200V漏源电压。GCMX全桥模块的工作结温为175°C，符合RoHS指令。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压DC-DC转换器。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。