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GE04MPS06A

Name: Navitas Semiconductor GE04MPS06A
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE04MPS06A
Price: 14.83 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

905-GE04MPS06A

制造商编号：

GE04MPS06A

制造商：

GeneSiC Semiconductor

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS

ECAD模型:

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	¥16.7579	¥16.76
	¥14.5883	¥145.88
	¥13.8086	¥345.22
	¥12.6786	¥1,267.86
	¥11.9893	¥2,997.33
	¥11.4695	¥5,734.75
	¥11.0288	¥11,028.80
	¥10.5994	¥26,498.50

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Navitas Semiconductor
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-2
配置:	Single
If - 正向电流:	4 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.25 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	22 A
Ir - 反向电流 :	1 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	SiC Schottky MPS
封装:	Tube
商标:	GeneSiC Semiconductor
Pd-功率耗散:	55 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	50
子类别:	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 :	650 V
零件号别名:	GEXXMPS06X
单位重量:	2 g

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合规代码

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.