GE04MPS06A

GeneSiC Semiconductor
905-GE04MPS06A
GE04MPS06A

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS

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¥-.--
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¥-.--
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数量 单价
总价
¥16.7579 ¥16.76
¥14.5883 ¥145.88
¥13.8086 ¥345.22
¥12.6786 ¥1,267.86
¥11.9893 ¥2,997.33
¥11.4695 ¥5,734.75
¥11.0288 ¥11,028.80
¥10.4186 ¥26,046.50
¥9.9892 ¥49,946.00

产品属性 属性值 选择属性
Navitas Semiconductor
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
SMD/SMT
TO-220-2
Single
4 A
650 V
1.25 V
22 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Tube
商标: GeneSiC Semiconductor
Pd-功率耗散: 55 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 50
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 650 V
零件号别名: GEXXMPS06X
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with robustness and thermal conductivity. The 650V diodes feature superior system ruggedness, zero recovery losses, and smaller heat sink requirements. These diodes enable extremely fast switching, reduced cooling requirements, zero reverse recovery current, and increased system power density. GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS Diodes are ideal for ease of paralleling without thermal runaway. The diodes are available in a variety of packages, including TO-220, TO-247, and SOT-227.

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