GE06MPS06Q-TR

Name: Navitas Semiconductor GE06MPS06Q-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE06MPS06Q-TR
Price: 14.3 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

905-GE06MPS06Q-TR

制造商编号：

GE06MPS06Q-TR

制造商：

GeneSiC Semiconductor

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

数据表:

GE06MPS06Q-TR 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Navitas Semiconductor
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	QFN-8
配置:	Single
If - 正向电流:	6 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.25 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	33 A
Ir - 反向电流 :	1 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	650 V
系列:	SiC Schottky MPS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	GeneSiC Semiconductor
Pd-功率耗散:	133 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	3000
子类别:	Diodes & Rectifiers

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with robustness and thermal conductivity. The 650V diodes feature superior system ruggedness, zero recovery losses, and smaller heat sink requirements. These diodes enable extremely fast switching, reduced cooling requirements, zero reverse recovery current, and increased system power density. GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS Diodes are ideal for ease of paralleling without thermal runaway. The diodes are available in a variety of packages, including TO-220, TO-247, and SOT-227.

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Combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class thermal conductivity.

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	¥13.1193	¥1,311.93
	¥12.6786	¥3,169.65
	¥12.5091	¥6,254.55
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥11.7294	¥35,188.20
	¥11.4695	¥68,817.00

GE06MPS06Q-TR

制造商：

GeneSiC Semiconductor

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

数据表

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

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库存量: 2,978

定价 (含13% 增值税)

GE06MPS06Q-TR

制造商： GeneSiC Semiconductor

说明： 碳化硅肖特基二极管 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

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