GE08MPS06E-TR

Name: Navitas Semiconductor GE08MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE08MPS06E-TR
Price: 18.45 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

905-GE08MPS06E-TR

制造商编号：

GE08MPS06E-TR

制造商：

GeneSiC Semiconductor

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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¥-.--

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥20.8485	¥20.85
	¥18.2382	¥182.38
	¥17.289	¥432.23
	¥15.9782	¥1,597.82
	¥15.1081	¥3,777.03
	¥14.5092	¥7,254.60
	¥13.9894	¥13,989.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥13.1984	¥32,996.00
	¥12.6786	¥63,393.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Navitas Semiconductor
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-2
配置:	Single
If - 正向电流:	8 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.25 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	56 A
Ir - 反向电流 :	1 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	SiC Schottky MPS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	GeneSiC Semiconductor
Pd-功率耗散:	132 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	2500
子类别:	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 :	650 V

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已选择的属性: 0

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数据表

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.