GE08MPS06Q-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GE08MPS06Q-TR
GE08MPS06Q-TR

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

数据表:
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库存量: 3,000

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥13.8086 ¥13.81
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥13.8086 ¥41,425.80

产品属性 属性值 选择属性
Navitas Semiconductor
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-8
Single
8 A
650 V
1.25 V
44 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
商标: GeneSiC Semiconductor
Pd-功率耗散: 161 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 3000
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 650 V
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

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