IAUCN08S7L013ATMA1

Name: Infineon IAUCN08S7L013ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S7L013ATM
Price: 35.65 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IAUCN08S7L013ATM

制造商编号：

IAUCN08S7L013ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IAUCN08S7L013ATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	293 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	120 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	219 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	35 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	14 ns
系列:	OptiMOS 7
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	102.4 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
零件号别名:	IAUCN08S7L013 SP006059915

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 14,035

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在途量:: 5,000

预期 2026/9/10
生产周期：: 26

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥40.2845	¥40.28
	¥20.7581	¥207.58
	¥18.8597	¥1,885.97
	¥16.3737	¥8,186.85
	¥15.7974	¥39,493.50
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥15.3906	¥76,953.00

IAUCN08S7L013ATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

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