IAUCN08S7N024TATMA1

Infineon Technologies
726-IAUCN08S7N024TAT
IAUCN08S7N024TATMA1

制造商：

说明：
MOSFET 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T

寿命周期:
新产品:
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库存量: 5,927

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥28.7811 ¥28.78
¥18.7806 ¥187.81
¥14.6448 ¥1,464.48
¥12.2379 ¥6,118.95
¥10.509 ¥10,509.00
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥10.0118 ¥20,023.60

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PG-LHDSO-10-1
N-Channel
1 Channel
80 V
186 A
2.44 mOhms
20 V
3.2 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
157 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16 ns
系列: OptiMOS 7
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IAUCN08S7N024T SP005981928
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 7汽车用功率MOSFET

英飞凌正推出领先的OptiMOS™ 7车规级功率MOSFET技术，该技术显著降低了导通电阻和开关损耗，并增强了坚固性。OptiMOS 7重新定义了汽车功率MOSFET的格局。英飞凌的OptiMOS 7 MOSFET技术为汽车应用确立了新标准，可实现高性能和高效率，同时应对未来汽车系统的挑战。

OptiMOS™ 7 80V汽车级功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 7 80V汽车级功率MOSFET采用英飞凌的前沿功率半导体技术制造。这些MOSFET专为满足汽车应用对高性能、质量和可靠性的严格要求而设计。OptiMOS™ 7 80V MOSFET工作采用±20VGS栅-源电压，工作在-55°C至+175°C温度范围内。这些MOSFET采用顶部冷却SSO10T 5x7mm2 SMD封装。SSO10T封装有助于用户在散热和功率密度方面取得进展。80V功率MOSFET符合MSL-1评级，符合 RoHS 标准且100%经过雪崩测试。这些功率MOSFET非常适合一般汽车应用。

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