IAUZN10S7N078ATMA1

Name: Infineon IAUZN10S7N078ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUZN10S7N078ATM
Price: 16.69 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IAUZN10S7N078ATM

制造商编号：

IAUZN10S7N078ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IAUZN10S7N078ATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-TDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	76 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.2 V
Qg-栅极电荷:	22.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	94 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3.6 ns
系列:	OptiMOS 7
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10.4 ns
典型接通延迟时间:	4.7 ns
零件号别名:	IAUZN10S7N078 SP006030405

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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OptiMOS™7汽车功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™7汽车功率MOSFET可帮助工程师构建更高效率和更高密度的汽车电源系统。这些器件将先进的MOSFET硅与现代无引线功率封装相结合，以降低紧凑设计中的导通损耗和开关损耗。OptiMOS7 MOSFET专为12V和48V车载架构设计，支持更高的电流能力，简化热管理，并提高整体系统性能。

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80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。

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库存量: 4,877

库存：: 4,877

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在途量:: 5,000

预期 2026/10/1
生产周期：: 32

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥18.8597	¥18.86
	¥9.1869	¥91.87
	¥8.1925	¥819.25
	¥6.5314	¥3,265.70
	¥6.3054	¥6,305.40
	¥5.8986	¥14,746.50
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥5.5144	¥27,572.00

IAUZN10S7N078ATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

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