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IKW08N120CS7XKSA1

Name: Infineon IKW08N120CS7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW08N120CS7XKSA
Price: 33.38 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IKW08N120CS7XKSA

制造商编号：

IKW08N120CS7XKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

数据表:

IKW08N120CS7XKSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.65 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	21 A
Pd-功率耗散:	106 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	IGBT7 S7
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	240
子类别:	IGBTs
商标名:	TRENCHSTOP
零件号别名:	IKW08N120CS7 SP005419704

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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