IKW15N120BH6XKSA1

Infineon Technologies
726-IKW15N120BH6XKSA
IKW15N120BH6XKSA1

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY

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库存量: 2,241

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥27.9562 ¥27.96
¥18.1139 ¥181.14
¥14.803 ¥1,480.30
¥10.17 ¥4,881.60

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.9 V
- 20 V, 20 V
30 A
200 W
- 40 C
+ 175 C
TRENCHSTOP IGBT6
Tube
商标: Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: DE
栅极—射极漏泄电流: 600 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: IKW15N120BH6 SP001666618
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6设计用于实现高效率、低导通损耗和低开关损耗。这些TRENCHSTOP IGBT6具有如下特性：低栅极电荷、低电磁干扰 (EMI)、可轻松实现并联、在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。TRENCHSTOP IGBT6包括两个产品系列，即经优化实现了低导通损耗的S6系列以及具有更低开关损耗的H6系列。这些IGBT6是上一代HighSpeed3 H3 IGBT的即插即用型替代器件，且简单易用。TRENCHSTOP IGBT6采用沟槽和场终止技术，具有软恢复和快速恢复反向并联二极管。得益于VCEsat中的正温度系数，这些1200V TRENCHSTOP IGBT6可轻松实现并联。典型应用包括工业UPS、能量存储、三级太阳能电池组、逆变器和焊接。

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