IKW15N120BH6XKSA1

Name: Infineon IKW15N120BH6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW15N120BH6XKSA
Price: 27.08 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IKW15N120BH6XKSA

制造商编号：

IKW15N120BH6XKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY

数据表:

IKW15N120BH6XKSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.9 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	30 A
Pd-功率耗散:	200 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	TRENCHSTOP IGBT6
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic:	30 A
栅极—射极漏泄电流:	600 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	240
子类别:	IGBTs
商标名:	TRENCHSTOP
零件号别名:	IKW15N120BH6 SP001666618
单位重量:	6 g

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数据表

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Models

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Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6设计用于实现高效率、低导通损耗和低开关损耗。这些TRENCHSTOP IGBT6具有如下特性：低栅极电荷、低电磁干扰 (EMI)、可轻松实现并联、在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。TRENCHSTOP IGBT6包括两个产品系列，即经优化实现了低导通损耗的S6系列以及具有更低开关损耗的H6系列。这些IGBT6是上一代HighSpeed3 H3 IGBT的即插即用型替代器件，且简单易用。TRENCHSTOP IGBT6采用沟槽和场终止技术，具有软恢复和快速恢复反向并联二极管。得益于V_CEsat中的正温度系数，这些1200V TRENCHSTOP IGBT6可轻松实现并联。典型应用包括工业UPS、能量存储、三级太阳能电池组、逆变器和焊接。